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DMN4031SSD
3.0
2.5
20
16
2.0
12
1.5
8
1.0
0.5
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
1.2
10,000
1,000
T A = 150°C
1,000
C iss
100
T A = 125°C
100
C oss
10
T A = 85°C
C rss
f = 1MHz
T A = 25°C
10
0
5
10 15 20 25 30 35
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 9 Typical Junction Capacitance
40
1
0 10 20 30
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 10 Typical Drain-Source Leakage Current vs. Voltage
10
100
R DS(on)
Limited
8
f = 1MHz
10
DC
6
4
2
1
0.1
0.01
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
P W = 10μs
0
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18 20
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 11 Gate-Charge Characteristics
0.001
0.1
1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 12 SOA, Safe Operation Area
100
DMN4031SSD
Document number: DS35410 Rev. 4 - 2
4 of 6
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
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